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RQ3G100GNTB  与  BSZ165N04NS G  区别

型号 RQ3G100GNTB BSZ165N04NS G
唯样编号 A-RQ3G100GNTB A-BSZ165N04NS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.3mΩ@10A,10V 13.8mΩ
上升时间 4.2ns 1ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2W 25W
Qg-栅极电荷 8.4nC 10nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 23.1ns 6.8ns
正向跨导 - 最小值 - 12S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 31A
系列 RQ OptiMOS3
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 615pF @ 20V -
长度 - 3.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 3.2ns 2.2ns
典型接通延迟时间 8ns 5.4ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 17 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.8334
100+ :  ¥2.047
3,000+ :  ¥1.48
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥3.8334 

阶梯数 价格
1: ¥3.8334
100: ¥2.047
3,000: ¥1.48
17 当前型号
DMN4010LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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BSZ165N04NS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ165N04NSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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